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科研費研究者番号 |
30437983 |
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto and Karim Huet
Japanese Journal of Applied Physics ( その他の出版社 ) Vol.55, Number 8, 086503-1 2016年
掲載種別: 研究論文（その他学術会議資料等）
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Ultra-high carrier mobility InSb film by rapid thermal annealing on glass substrate
Charith Jayanada Koswaththage, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Shinichi Taniguchi and Shokichi Yoshitome
AIP Advances 6 ( その他の出版社 ) 115303 2016年
掲載種別: 研究論文（その他学術会議資料等）
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An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs
Yi Chen, T. Okada and T. Noguchi
IEICE ( その他の出版社 ) Vol.E99-C, No.5, pp.516-521 2016年
掲載種別: 研究論文（その他学術会議資料等）
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Crystallization of a-Si films with smooth surfaces by using Blue Multi-Laser Diode Annealing
Tatsuya Okada, Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Takashi Noguchi
J. of the Korean Physical Society ( その他の出版社 ) Vol.66, 8, pp 1265-1269 2015年
掲載種別: 研究論文（その他学術会議資料等）
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Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs with SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering
Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, and Byung Seong Bae
Journal of Display Technology ( その他の出版社 ) Volume 12, Issue 3 (2016) pp.268-272 2015年
掲載種別: 研究論文（その他学術会議資料等）
著書 【 表示 ／ 非表示 】
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「知の源泉」, やわらかい南の学と思想５ 「朝鮮半島での研究生活とハングル」
野口隆 ( 担当: 単著 )
沖縄タイムズ社 2013年
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低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 第Ｖ編 応用 第２章(低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発)
野口隆 ( 担当: 単著 )
ジーエムシー出版 2007年01月 ( ページ数: 12 )
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プラスチックＬＣＤの材料技術と低温プロセス （第4章 第8節）
工藤一浩, 野口隆 他 ( 担当: 共著 )
技術情報協会 2002年03月 ( ページ数: 247 , 担当ページ: p.4 )
MISC（その他業績・査読無し論文等） 【 表示 ／ 非表示 】
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青色半導体レーザーによるフレキシブルパネル上Si結晶化薄膜の製法と機能デバイスへの応用
岡田竜弥、野口隆
ケミカルエンジニヤリング ( その他の出版社 ) VOL.61, No.8, p.44, 2016 2016年
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Si薄膜素子構造と特性に関する研究（ＴＦＴと太陽光発電素子）
野口 隆、大城 文明、坂本 明典、陳 訳、ジャンディユ ムギラネーザ、白井 克弥、大鉢 忠
同志社大学界面現象研究センター2009年度研究報告書 ( その他の出版社 ) 100 - 106 2010年
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TFT応用のためのSiの低温製膜と有効な結晶化
野口隆
ディスプレイ ( テクノタイムズ社 ) ( 8月 ) 2009年08月
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大学研究室紹介:琉球大学 野口研究室
野口 隆
その他の掲載誌 ( SEAJ Journal 11月号 (2009) ) 18 - 22 2009年
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亜熱帯地域ビジネスをめざした薄膜太陽電池の研究
陳訳、白井 克弥、野口 隆
その他の掲載誌 ( 沖縄産学官イノベーションフォーラム2009 ) 2009年
研究発表等の成果普及活動 【 表示 ／ 非表示 】
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急速熱処理したInSb膜の電気的特性
コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ，野口 隆, 谷口 慎一, 吉留 省吉
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス) 2016年 - 2016年
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Effect of Low-temperature Annealing of Sputtered SiO2 for Gate Insulator in Poly-Si TFTs on Panel
Hikaru Tamashiro, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi
IDW 2016年 - 2016年
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Ultra-low temperature Si TFTs with metal source-drain using ELA for flexible sheet
Taisei Harada, Futa Gakiya, Yuya Ishiki,Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Kanji Noda, Akira Suwa and Hiroshi Ikenoue
IDW 2016年 - 2016年
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Effect of Hydrogen Annealing of Si TFTs with Metal Source/Drain using BLDA
Taisei Harada, Futa Gakiya, Takuya Ashitomi, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Osamu Nishikata, Atsushi Ota and Kazuya Saito
IDW 2016年 - 2016年
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ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）による接合型Ｓｉ太陽電池の表面反射防止膜による特性の向上
鈴木 仁, 楊 天熙, 岡田 竜弥, 野口 隆, 河本直哉
第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集（2016朱鷺メッセ） 2016年 - 2016年
特許等知的財産 【 表示 ／ 非表示 】
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その他の名称
特願 (2010年09月)
野口隆, 鈴木俊治、白井克弥、岡田竜弥、J.D.Mugiraneza、荻野、佐保田他
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太陽電池、センサ、ダイオード及びその製造方法
特願 2009-080343 (2009年)
野口 隆
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半導体装置の製造方法、半導体装置
特願 2008-069978 (2008年03月18日)
特開 2009-224706 (2009年10月01日)
野口隆
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太陽電池パネルの製造方法
特願 2007-127738 (2007年05月14日)
特開 2008-283105 (2008年11月20日)
福里克彦, 鈴木康真, 茂垣聰, 野口隆
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３次元集積回路装置およびその製造方法
特願 2007-496282 (2007年)
野口隆
その他研究費獲得情報 【 表示 ／ 非表示 】
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大面積薄膜シリコン単結晶を実現する高出力青色半導体レーザアニール法を用いた新素子探索の研究
研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金 参画方法: その他
研究種別: 受託研究 事業名: -
研究期間: 2009年11月 - 2010年10月
代表者: 野口 隆 資金配分機関: 独立行政法人 科学技術振興機構 分任契約担当者 イノベーション推進本部 副本部長（産学連携事業担当）小原 満穂
直接経費: 2,340,000（円） 間接経費: 702,000（円） 金額合計: 3,042,000（円）
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その他の題目
研究費種類: 公的研究費（省庁・独法・大学等） 参画方法: その他
研究種別: その他 事業名: -
研究期間: 2009年07月 - 2010年06月
資金配分機関: -
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絶縁基板上光電機能素子用Ｓｉ系半導体の製法と構造に関する研究開発
研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金 参画方法: その他
研究種別: 受託研究 事業名: -
研究期間: 2009年07月 - 2010年03月
代表者: 野口 隆 資金配分機関: 独立行政法人科学技術振興機構 分任契約担当者 イノベーション推進本部副本部長（産学連携事業担当） 小原 満穂
直接経費: 3,847,000（円） 間接経費: 1,153,000（円） 金額合計: 5,000,000（円）
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その他の題目
研究費種類: 公的研究費（省庁・独法・大学等） 参画方法: その他
研究種別: その他 事業名: -
研究期間: 2009年04月 - 2010年03月
資金配分機関: -
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その他の題目
研究費種類: 公的研究費（省庁・独法・大学等） 参画方法: その他
研究種別: その他 事業名: -
研究期間: 2007年04月 - 2008年03月
資金配分機関: -