野口 隆 (ノグチ タカシ)

Noguchi Takashi

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科研費研究者番号

30437983

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 同志社大学 -  工学博士  その他 / その他

  • 同志社大学 -  工学修士  電子・電気材料工学

職歴 【 表示 / 非表示

  • 2006年05月
    -
    継続中

      琉球大学 工学部 電気電子工学科 電子システム工学講座  

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 薄膜半導体素子

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

論文 【 表示 / 非表示

  • Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET

    Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto and Karim Huet

    Japanese Journal of Applied Physics ( その他の出版社 )    Vol.55, Number 8, 086503-1   2016年

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

  • Ultra-high carrier mobility InSb film by rapid thermal annealing on glass substrate

    Charith Jayanada Koswaththage, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Shinichi Taniguchi and Shokichi Yoshitome

    AIP Advances 6 ( その他の出版社 )    115303   2016年

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

  • An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs

    Yi Chen, T. Okada and T. Noguchi

    IEICE ( その他の出版社 )    Vol.E99-C, No.5, pp.516-521   2016年

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

  • Crystallization of a-Si films with smooth surfaces by using Blue Multi-Laser Diode Annealing

    Tatsuya Okada, Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Takashi Noguchi

    J. of the Korean Physical Society ( その他の出版社 )    Vol.66, 8, pp 1265-1269   2015年

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

  • Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs with SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering

    Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, and Byung Seong Bae

    Journal of Display Technology ( その他の出版社 )    Volume 12, Issue 3 (2016) pp.268-272   2015年

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

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著書 【 表示 / 非表示

  • 「知の源泉」, やわらかい南の学と思想5 「朝鮮半島での研究生活とハングル」

    野口隆 ( 担当: 単著 )

    沖縄タイムズ社  2013年

  • 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 第V編 応用 第2章(低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発)

    野口隆 ( 担当: 単著 )

    ジーエムシー出版  2007年01月 ( ページ数: 12 )

  • プラスチックLCDの材料技術と低温プロセス  (第4章 第8節)

    工藤一浩, 野口隆 他 ( 担当: 共著 )

    技術情報協会  2002年03月 ( ページ数: 247 ,  担当ページ: p.4 )

MISC(その他業績・査読無し論文等) 【 表示 / 非表示

  • 青色半導体レーザーによるフレキシブルパネル上Si結晶化薄膜の製法と機能デバイスへの応用

    岡田竜弥、野口隆

    ケミカルエンジニヤリング ( その他の出版社 )    VOL.61, No.8, p.44, 2016   2016年

     

  • Si薄膜素子構造と特性に関する研究(TFTと太陽光発電素子)

    野口 隆、大城 文明、坂本 明典、陳 訳、ジャンディユ ムギラネーザ、白井 克弥、大鉢 忠

    同志社大学界面現象研究センター2009年度研究報告書 ( その他の出版社 )    100 - 106   2010年

     

  • TFT応用のためのSiの低温製膜と有効な結晶化

    野口隆

    ディスプレイ ( テクノタイムズ社 )  ( 8月 )   2009年08月

     

  • 大学研究室紹介:琉球大学 野口研究室

    野口 隆

    その他の掲載誌 ( SEAJ Journal 11月号 (2009) )    18 - 22   2009年

     

  • 亜熱帯地域ビジネスをめざした薄膜太陽電池の研究

    陳訳、白井 克弥、野口 隆

    その他の掲載誌 ( 沖縄産学官イノベーションフォーラム2009 )    2009年

     

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研究発表等の成果普及活動 【 表示 / 非表示

  • 急速熱処理したInSb膜の電気的特性

    コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ,野口 隆, 谷口 慎一, 吉留 省吉

    第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス)  2016年  -  2016年   

  • Effect of Low-temperature Annealing of Sputtered SiO2 for Gate Insulator in Poly-Si TFTs on Panel

    Hikaru Tamashiro, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi

    IDW  2016年  -  2016年   

  • Ultra-low temperature Si TFTs with metal source-drain using ELA for flexible sheet

    Taisei Harada, Futa Gakiya, Yuya Ishiki,Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Kanji Noda, Akira Suwa and Hiroshi Ikenoue

    IDW  2016年  -  2016年   

  • Effect of Hydrogen Annealing of Si TFTs with Metal Source/Drain using BLDA

    Taisei Harada, Futa Gakiya, Takuya Ashitomi, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Osamu Nishikata, Atsushi Ota and Kazuya Saito

    IDW  2016年  -  2016年   

  • ELA(エキシマレーザアニール)による接合型Si太陽電池の表面反射防止膜による特性の向上

    鈴木 仁, 楊 天熙, 岡田 竜弥, 野口 隆, 河本直哉

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2016朱鷺メッセ)  2016年  -  2016年   

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特許等知的財産 【 表示 / 非表示

  • その他の名称

    特願    (2010年09月)

    野口隆, 鈴木俊治、白井克弥、岡田竜弥、J.D.Mugiraneza、荻野、佐保田他

  • 太陽電池、センサ、ダイオード及びその製造方法

    特願 2009-080343  (2009年)

    野口 隆

  • 半導体装置の製造方法、半導体装置

    特願 2008-069978  (2008年03月18日)

    特開 2009-224706  (2009年10月01日)

    野口隆

  • 太陽電池パネルの製造方法

    特願 2007-127738  (2007年05月14日)

    特開 2008-283105  (2008年11月20日)

    福里克彦, 鈴木康真, 茂垣聰, 野口隆

  • 3次元集積回路装置およびその製造方法

    特願 2007-496282  (2007年)

    野口隆

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その他研究費獲得情報 【 表示 / 非表示

  • 大面積薄膜シリコン単結晶を実現する高出力青色半導体レーザアニール法を用いた新素子探索の研究

    研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金  参画方法: その他

    研究種別: 受託研究  事業名: -

    研究期間: 2009年11月  -  2010年10月 

    代表者: 野口 隆  資金配分機関: 独立行政法人 科学技術振興機構 分任契約担当者 イノベーション推進本部 副本部長(産学連携事業担当)小原 満穂

    直接経費: 2,340,000(円)  間接経費: 702,000(円)  金額合計: 3,042,000(円)

  • その他の題目

    研究費種類: 公的研究費(省庁・独法・大学等)  参画方法: その他

    研究種別: その他  事業名: -

    研究期間: 2009年07月  -  2010年06月 

    資金配分機関: -

  • 絶縁基板上光電機能素子用Si系半導体の製法と構造に関する研究開発

    研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金  参画方法: その他

    研究種別: 受託研究  事業名: -

    研究期間: 2009年07月  -  2010年03月 

    代表者: 野口 隆  資金配分機関: 独立行政法人科学技術振興機構 分任契約担当者 イノベーション推進本部副本部長(産学連携事業担当)  小原 満穂

    直接経費: 3,847,000(円)  間接経費: 1,153,000(円)  金額合計: 5,000,000(円)

  • その他の題目

    研究費種類: 公的研究費(省庁・独法・大学等)  参画方法: その他

    研究種別: その他  事業名: -

    研究期間: 2009年04月  -  2010年03月 

    資金配分機関: -

  • その他の題目

    研究費種類: 公的研究費(省庁・独法・大学等)  参画方法: その他

    研究種別: その他  事業名: -

    研究期間: 2007年04月  -  2008年03月 

    資金配分機関: -

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