現在の所属組織 【 表示 ／ 非表示 】

現在の所属組織 【 表示 ／ 非表示 】

取得学位 【 表示 ／ 非表示 】

取得学位 【 表示 ／ 非表示 】

職歴 【 表示 ／ 非表示 】

職歴 【 表示 ／ 非表示 】

研究キーワード 【 表示 ／ 非表示 】

研究キーワード 【 表示 ／ 非表示 】

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

主たる研究テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

主たる研究テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

• 強誘電体セラミックスの作製

• 強誘電体薄膜の作製

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• 低誘電率（Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

  曽根川富博　上原和浩　前濱剛廣

  電子情報通信学会論文誌C ( 電子情報通信学会 )  94 ( 10 ) 316 - 322   2011年10月 [ 査読有り ]

  掲載種別: 研究論文（学術雑誌）

• Ferroelectric thin films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

  T.Sonegawa et al.

  Jpn. J. Appl. Phys ( その他の出版社 )  40 ( 28 ) 1049 - 1051   2001年03月 [ 査読有り ]

  掲載種別: 研究論文（学術雑誌）

• Thin-Film Deposition of (BaxSr1-x)TiO3 by Pulsed Ion Beam Evaporation

  T.Sonegawa et al.

  IEEE Transactions on Plasma Science ( その他の出版社 )  28 ( 5 ) 1545 - 1549   2001年03月 [ 査読有り ]

  掲載種別: 研究論文（学術雑誌）

• 背面堆積パルスイオンビーム蒸着法で作製された強誘電体材料薄膜の組成分析

  曽根川富博　他

  電気学会論文誌 ( その他の出版社 )  ( A120 ) 427 - 432   2000年03月 [ 査読有り ]

  掲載種別: 研究論文（学術雑誌）

• Measurement of Porosity of porous Silicon Using X-Ray Refraction Effect

  Takehiro Maehama et al.

  Jpn. J. Appl. Phys ( その他の出版社 )  ( 39 ) 3649 - 3659   2000年03月 [ 査読有り ]

  掲載種別: 研究論文（学術雑誌）

全件表示 >>

科研費獲得情報 【 表示 ／ 非表示 】

科研費獲得情報 【 表示 ／ 非表示 】

• パルスイオンビーム蒸着法によるジルコン酸チタン酸鉛薄膜の作製と組成・特性の評価

  奨励研究(A)

  課題番号: 12750276

  研究期間: 2000年04月  -  2002年03月 

  代表者: 曽根川　富博 

  直接経費: 2,200,000（円）  間接経費: 660,000（円）  金額合計: 2,860,000（円）