山里 将朗 (ヤマザト マサアキ)

Yamazato Masaaki

写真a

職名

教授

科研費研究者番号

10322299

現在の所属組織 【 表示 / 非表示

  • 専任   琉球大学   工学部   工学科電子情報通信コース   教授  

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 熊本大学 -  博士(工学)  その他 / その他

職歴 【 表示 / 非表示

  • 2006年04月
    -
    継続中

      琉球大学 工学部 電気電子工学科 電子物性工学講座 准教授  

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • 電子物性工学,電子デバイス工学

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

主たる研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • 窒化炭素構造の創製

  • CdTe半導体放射線検出素子の開発

  • a-C:H薄膜の作製と物性評価

論文 【 表示 / 非表示

  • Electrical and structural changes of amorphous carbon thin films induced by exposure to iodine vapor

    Masaki Kudo, Akira Higa

    Proceedings of IWEE2019 ( The Japan Society of Mechanical Engineers )    PE301   2019年06月

    掲載種別: 研究論文(学術雑誌)

  • Effect of plasma treatment on the formation of schottky contacts on CdTesurface for radiation detector

    M. Yamazato, M. Ezaki, A. Higa

    ISEHD2014 ( その他の出版社 )    P27   2014年06月

    掲載種別: 研究論文(学術雑誌)

  • Structure and electrical properties of a-C:H thin films deposited by RF sputtering

    M. Yamazato, I. Mizuma, A. Higa

    Diamond and Related Materials ( その他の出版社 )  ( 19 ) 695 - 698   2010年09月 [ 査読有り ]

    掲載種別: 研究論文(学術雑誌)

  • 結晶表面制御による高安定高分解能テルル化カドミウム半導体放射線検出素子の開発

    その他の著者

    研究報告書(工) ( 山里将朗 )    2010年01月

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

     概要を見る

    2007年度~2008年度科学研究費補助金(若手研究(B))研究成果報告書 (管理者追加)リポジトリ登録情報を移行しました。確認のうえ、加除修正をしてください。

  • Effect of Sulfur Treatment on the gamma-ray Detection Quality of Al/CdTe/Pt Schottky Diode

    M. Yamazato, T. Yamauchi, R. Ohno, A. Higa

    2008 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record ( その他の出版社 )  R12   246 - 249   2008年10月

    掲載種別: 研究論文(その他学術会議資料等)

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研究発表等の成果普及活動 【 表示 / 非表示

  • Research on electronics and electronic materials inthe Electrical and Electronics Engineering Course of University of the Ryukyus

    山里 将朗

    II International Seminar in Bioinformatics 2019. Lublin University of Technology  2019年12月  -  2019年12月   

  • ヨウ素ドーピングを施したa-CNx:H薄膜の脱ドープ特性

    藤古 秀人, 小渡 祐樹, 工藤 誠司, 山里 将朗, 比嘉 晃

    第80会応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月  -  2019年09月   

  • ヨウ素ドーピングを施したa-CNx:H薄膜の電気的特性評価

    工藤 誠司, 藤古 秀人, 小渡 祐樹, 山里 将朗, 比嘉 晃

    第80会応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月  -  2019年09月   

  • ヨウ素蒸気暴露による非晶質炭素薄膜の電気的及び構造変化

    工藤誠司, 山里将朗, 比嘉晃

    環境工学国際ワークショップ2019  2019年06月  -  2019年06月   

  • a-C:H 薄膜を用いた抵抗変化型メモリの作製

    松堂 功介, 山里 将朗, 比嘉 晃

    電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年09月  -  2017年09月   

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科研費獲得情報 【 表示 / 非表示

その他研究費獲得情報 【 表示 / 非表示

  • 非晶質炭素薄膜における導電性制御技術の開発

    研究費種類: 公的研究費(省庁・独法・大学等)  参画方法: その他

    研究種別: その他  事業名: -

    研究期間: 2007年04月  -  2008年03月 

    代表者: 山里 将朗  資金配分機関: -

    金額合計: 1,080,000(円)