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職名 |
教授 |
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科研費研究者番号 |
50228699 |
現在の所属組織 【 表示 ／ 非表示 】
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専任 琉球大学 工学部 工学科電子情報通信コース 教授
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併任 琉球大学 理工学研究科 生産エネルギー工学専攻 教授
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併任 琉球大学 理工学研究科 電子システム・デバイスプログラム 教授
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Selected Materials and Technologies for Electrical Energy Sector
Stryczewska H.D.
Energies ( Energies ) 16 ( 12 ) 2023年06月 [ 査読有り ]
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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Effect of LF-microwave hybrid plasma treatment on radish seed germination and sprout growth
Tonmitr N.
Japanese Journal of Applied Physics ( Japanese Journal of Applied Physics ) 62 ( SA ) 2023年01月 [ 査読有り ]
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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Iodine doping effects on electrical and optical properties of amorphous carbon nitride thin films
Masaaki Yamazato, Akira Higa
10th Internationa Conference Electromagnetic Devices and Processes in Environment Protection 56 - 56 2022年05月
掲載種別: 研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Electrical and Structural Changes of Amorphous Carbon Thin Films induced by Exposure to Iodine Vapor
S. Kudo, M. Yamazato, A. Higa
Proceedings of the International Workshop on Environmental Engineering 2019 2019年06月 [ 査読有り ]
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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Improvement of organic solar cell performance via the incorporation of a MgO cathode interlayer fabricated by a reaction of thermally deposited Mg with MoO3
I. Ishikawa, A. Higa, H. Kageyama
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 10 ) 102302-1 - 102302-6 2018年09月 [ 査読有り ]
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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研究発表等の成果普及活動 【 表示 ／ 非表示 】
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ヨウ素ドーピングしたアモルファス炭素系薄膜中のヨウ素状態解析
Pei Haotian, 山里 将朗, 比嘉 晃
2024年応用物理学会九州支部学術講演会 (琉球大学) 2024年12月 - 2024年12月
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Iodine doping effects on electrical and optical properties of amorphous carbon nitride thin films
Masaaki Yamazato, Akira Higa
ELMECO 10th International Conference 2022年05月 - 2022年05月
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ヨウ素ドーピングを施したa-CNx:H薄膜の電気的特性評価
工藤 誠司，藤古 秀人，小渡 祐樹，山里 将朗，比嘉 晃
第80会応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月 - 2019年09月
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ヨウ素ドーピングを施したa-CNx:H薄膜の脱ドープ特性
藤古 秀人，小渡 祐樹，工藤 誠司，山里 将朗，比嘉 晃
第80会応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月 - 2019年09月
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水素化アモルファス窒化炭素薄膜へヨウ素ドーピングを施した試料の電気的特性評価
小倉 柊人，山里 将朗， 比嘉 晃
2017年度電気・情報関係学会九州支部連合大会 2017年09月 - 2017年09月
科研費獲得情報 【 表示 ／ 非表示 】
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電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発
基盤研究(C)
課題番号: 19560319
研究期間: 2007年 - 2008年
代表者: 比嘉 晃
直接経費: 2,300,000（円） 間接経費: 690,000（円） 金額合計: 2,990,000（円）
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電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発
基盤研究(C)
課題番号: 19560319
研究期間: 2007年 - 2008年
代表者: 比嘉 晃
直接経費: 2,300,000（円） 間接経費: 690,000（円） 金額合計: 2,990,000（円）
その他研究費獲得情報 【 表示 ／ 非表示 】
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医療用CdTe半導体放射線検出器における結晶表面制御技術及び電極形成技術の開発
研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金 参画方法: その他
研究種別: その他 事業名: -
研究期間: 2005年06月 - 2007年03月
資金配分機関: -
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医療用CdTe半導体放射線検出器における結晶表面制御技術及び電極形成技術の開発
研究費種類: 財団・社団法人等の民間助成金 参画方法: その他
研究種別: その他 事業名: -
研究期間: 2005年06月 - 2007年03月
資金配分機関: -
研究シーズ 【 表示 ／ 非表示 】
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薄膜合成に関するテーマ
薄膜材料分野
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炭素系材料に関するテーマ
電子材料分野
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薄膜合成に関するテーマ
薄膜材料分野
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炭素系材料に関するテーマ
電子材料分野