論文 - 小野寺 清光
-
0-to-56 GHz GaAs MESFET Gate-Line-Division Distributed Baseband Amplifier IC with Three-Dimensional Transmission Lines
S. Kimura, Y. Imai, S. Yamaguchi, and K. Onodera
Electron. Lett. ( その他の出版社 ) 33 93 - 95 1997年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
High-Performance 0.1-μm-Self-AlignedーGate GaAs MESFET Technology
K. Nishimura, K. Onodera, S. Aoyama, M. Tokumitsu, and K. Yamasaki
IEEE Trans. Electron Devices ( その他の出版社 ) 44 2113 - 2119 1997年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
対称／非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波増幅器への応用
小野寺清光, 西村一巳, 入戸野巧, 山根康朗, 山崎王義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED97 89 - 94 1997年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
-
Novel interconnection technology for Three-Dimensional MMICs
M. Hirano, S. Sugitani, S. Aoyama, and K. Onodera
NTT R&D ( その他の出版社 ) 45 1277 - 1284 1996年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Folded U-Shaped Microwire Technology for Ultra-Compact Three-Dimensional MMIC's
K. Onodera, M. Hirano, M. Tokumitsu, I. Toyoda, and T. Tokumitsu
IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. ( その他の出版社 ) 1153 - 1156 1996年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
High Performance 0.1-mm-Self-Aligned-Gate GaAs MESFET Technology
K. Nishimura, K. Onodera, S. Aoyama, M. Tokumitsu, and K. Yamasaki
Proc. European Solid State Device Research Conf. ( その他の出版社 ) 865 - 868 1996年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Folded U-Shaped Microwire Technology for Ultra-Compact three-dimensional MMIC's
K. Onodera, M. Hirano, M. Tokumitsu, I. Toyoda, K. Nishikawa, and T. Tokumitsu
IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ( その他の出版社 ) 44 2347 - 2353 1996年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
A WSiN-Gate GaAs HMESFET with an Asymmetric LDD Structure for MMICs
K. Nishimura, K. Onodera, K. Inoue, M. Tokumitsu, F. Hyuga, and K. Yamasaki
IEICE Trans. Electronics ( その他の出版社 ) E37-C 907 - 910 1995年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
非対称LDD構造イオン注入InGaP／GaAs-HMESFET
小野寺清光, 西村一巳, 井上考, 徳光雅美, 日向文明, 山崎王義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED94 115 - 122 1995年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
-
WSiN Gate GaAs-HMESFET's Having Asymmetric LDD Structure for MMIC's
K. Nishimura, K. Onodera, K. Inoue, M. Tokumitsu, F. Hyuga, and K. Yamasaki
Asia-Pacific Microwave Conf. Dig. ( その他の出版社 ) 1017 - 1020 1994年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Very Low-Intermodulation GaAs Mixers with Negative Feedback
K. Onodera and M. Muraguchi
Proc. European Microwave Conf. ( その他の出版社 ) 642 - 647 1994年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
High Microwave Performance of Fully Ion-Implanted GaAs MESFET's with Au/WSiN T-Shaped Gate
K. Onodera, K. Nishimura, K. Asai, and S. Sugitani
IEEE Trans. Electron Devices ( その他の出版社 ) 40 18 - 24 1993年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
高帯域増幅回路モジュール
細矢正風, 石塚文則, 熊木みつ江, 高知尾昇, 小野寺清光
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) MW91 140 - 147 1992年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
-
A 31-GHz Static Frequency Divider Using Au/WSiN Gate GaAs MESFETs
M. Tokumitsu, K. Onodera, H. Sutoh, and K. Asai
IEICE Trans. Electronics ( その他の出版社 ) E74-C 4136 - 4140 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Ultra-Low-Noise Fully Ion-Implanted GaAs-MESFET with Au/WSiN Refractory Metal Gate
K. Onodera, K. Nishimura, S. Sugitani, and K. Asai
Int. Electron Device Meeting Tech. Dig. ( その他の出版社 ) 251 - 254 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
High Quality Very Thin Active Layer Formation for Ion-Implanted GaAs MESFETs
S. Sugitani, K. Onodera, K. Nishimura, F. Hyuga, and K. Asai
Int. Symp. Gallium Arsenide Related Compounds Dig. ( その他の出版社 ) 131 - 136 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Effects of Neutral Buried p-Layer on High-Frequency Performance of GaAs MESFET's
K. Onodera, M. Tokumitsu, M. Tomizawa, and K. Asai
IEEE Trans. Electron Devices ( その他の出版社 ) 38 429 - 436 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
Microwave Characteristic and Application of Au/WSiN GaAs-MESFET's with Neutral Buried p-Layers
K. Onodera, Y. Imai, and K. Asai
IEICE Trans. Electronics ( その他の出版社 ) E74-C 1197 - 1201 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
BP-LDD n+ Self-Aligned GaAs-MESFET with Au/WSiN Gate and Its Application to 0.5-30 GHz Distributed Amplifier
K. Onodera, M. Tokumitsu, N. Takachio, H. Kikuchi, and K. Asai
IEICE Trans. Electronics ( その他の出版社 ) E74-C 4131 - 4135 1991年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
-
高品質で薄いSiイオン注入GaAs能動層の形成
杉谷末広, 小野寺清光, 西村一巳, 日向文明, 浅井和義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED91 102 - 109 1991年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）