論文 - 小野寺 清光
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A 10 Gb/s Optical Heterodyne Detection Experiment Using a 23 GHz Bandwidth Balanced Receivers
N. Takachio, K. Iwashita, S. Hata, K. Onodera, K. Katsura, and H. Kikuchi
IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ( その他の出版社 ) 38 1900 - 1905 1990年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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High Microwave Performance of Au/WSiN GaAs-MESFETs with Neutral Buried p-Layers
K. Onodera, Y. Imai, and K. Asai
Asia-Pacific Microwave Conf. Dig. ( その他の出版社 ) 959 - 962 1990年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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A 10 Gb/s Optical Heterodyne Detection Experiment Using a 23 GHz Bandwidth Balanced Receivers
N. Takachio, K. Iwashita, S. Hata, K. Katsura, K. Onodera, and H. Kikuchi
IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. ( その他の出版社 ) 149 - 151 1990年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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0.5-23 GHz MMIC Optical Modules
F. Ishitsuka, M. Hosoya, H. Tomimuro, N. Takachio, and K. Onodera
IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig. ( その他の出版社 ) 109 - 112 1990年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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10-GHz Bandwidth and 20-dB Gain Low-Noise Direct-Coupled Amplifier IC's Using Au/WSiN GaAs MESFET
Y. Imai, M. Tokumitsu, K. Onodera, and K. Asai
Electron. Lett. ( その他の出版社 ) 26 699 - 700 1990年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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GaAs MESFETにおける埋込みP層濃度の高周波特性への影響
小野寺清光, 徳光雅美, 浅井和義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED89 108 - 115 1989年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
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A 630 mS/mm GaAs MESFET with Au/WSiN Refractory Metal Gate
K. Onodera, T. Tokumitsu, S. Sugitani, Y. Yamane, and K. Asai
IEEE Electron Device Lett. ( その他の出版社 ) 9 417 - 418 1988年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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High-Performance Short Channel MESFETs with WSiN Gate Suppressing As-Outdiffusion (SAINT-GEN. II)
M. Tokumitsu, K. Onodera, and K. Asai
IEEE Device Research Conf. Dig. ( その他の出版社 ) VA-2 1988年
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
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0.2μm級WSiNゲートGaAs MESFETの超高速性能
小野寺清光, 徳光雅美, 浅井和義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED88 62 - 69 1988年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）
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Au／WSiNゲートGaAs MESFETを用いた15GHz 1／4分周器
徳光雅美, 小野寺清光, 首藤啓樹, 浅井和義
電子情報通信学会技術研究報告 ( 電子情報通信学会 ) ED87 145 - 152 1988年
掲載種別: 研究論文（研究会，シンポジウム資料等）